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金融界2024年4月27日音讯，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制作股份有限公司请求一项名为“半导体设备及栅极结构的构成办法“，公开号CN117936571A，请求日期为2023年12月。
专利摘要显现，本揭穿关于一种半导体设备及栅极结构的构成办法。此构成办法包括：构成栅极结构的界面层及高k值介电层；构成N型金属层于高k值介电层上；构成硬覆盖层于N型金属层上，一起经过氟钝化强化高k值介电层；图画化在硬覆盖层上的光阻资料，以于P型晶体管上暴露出硬覆盖层的一部分；使用高选择性化学试剂经过湿式蚀刻操作移除于P型晶体管上的N型金属层及硬覆盖层，前述化学试剂对硬覆盖层及N型金属层具有高选择性；移除图画化光阻资料，一起经过硬覆盖层阻隔栅极结构，以防止产生铝氧化；以及构成P型金属层于硬覆盖层及P型晶体管上。
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